пятница, 14 декабря 2007 г.

IBM вплотную приблизилась к созданию чипов по нормам 32-нм техпроцесса

13 декабря 2007 года, 12:03
Текст: Георгий Мешков

Компания IBM завершила разработку промышленной технологии, позволяющей сократить утечку энергии из транзисторов, а также существенно уменьшить размеры микросхем. Этого удалось добиться благодаря применению в полупроводниковых транзисторах диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью high-k. Разработка IBM вплотную приблизила компанию к созданию микропроцессоров по нормам 32-нм технологического процесса.

В настоящее время в качестве диэлектрика затвора транзисторов используется диоксид кремния (SiO2). По мере миниатюризации транзисторов приходится постоянно снижать толщину подзатворного изолирующего слоя, что приводит к увеличению утечки из затвора. Предполагается, что применение вместо традиционного диоксида кремния нового материала (при той же толщине слоя) позволит уменьшить утечку в 100 или более раз. Другое достоинство high-k диэлектрика заключается в том, что его можно наращивать, регулируя толщину слоя с точностью до молекулы.

По словам представителей компании, первые чипы, изготовленные по 32-нм техпроцессу, появятся на рынке уже в первой половине 2009 года. Об этом говорится в совместном заявлении IBM, AMD, Chartered Semiconductor, Freescale, Infineon и Samsung. В IBM отмечают, что новая технология позволит компании выпустить процессоры, размеры которых сократятся на 50%, по сравнению с нынешними моделями, выполненными по 45-нм техпроцессу. При этом энергопотребление сократится на 45%, сообщает eWeek.

Между тем, IBM и ее партнерам уже удалось разработать опытный образец модуля SRAM, выполненного по нормам 32-нм техпроцесса. Технологии, освоенные в ходе создания модуля, будут использованы разработчиками при проектировании процессоров нового поколения.

Комментариев нет: